Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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Sistemas de pulverización catódica (sputtering)

Sputtering 1

Sistema de sputtering de 4 magnetrones (3 en un sistema ternario y 1 independiente). Cuenta con una cámara de precarga, colocación vertical de las muestras y sistema de rotación de éstas durante el crecimiento. Las fuentes de potencia DC para los magnetrones están controladas por un circuito electrónico con temporizador. La presión de crecimiento se controla por medio de una electroválvula. Dispone de una fuente de RF para crecimiento de materiales aislantes.

Sputtering 2

Este sistema de Sputtering tiene 7 magnetrones, 3 de ellos agrupados para crecer ternarios y 2 para binarios. Las muestras se pueden situar en un plato giratorio para crecer multicapas de hasta 5 materiales distintos o en un sustrato giratorio de altura regulable que se sitúa debajo de los magnetrones para ternarios. El sistema alcanza un vacío de 10-8 mbar en 12 horas, y se pueden cargar hasta 6 muestras en cada carga, lo cual permite una gran productividad. Todos los magnetrones en la tapa, lo cual permite cambiar la filosofía del sputtering diseñando una nueva tapa.

Sputtering 3

Sistema de sputtering de 3 magnetrones y portasubstratos con control y medida de la temperatura. El portasubtratos tiene capacidad de refrigeración por circuito de nitrógeno líquido y calefacción por lámpara halógena. Colocación horizontal de los substratos y acceso directo frontal al portasubstratos. Campana principal con sistema de calefacción.

Sputtering 4

Sistema de sputtering reactivo de un magnetron y portasustratos con control y medida de la temperatura. El portasustratos tiene capacidad para muestras de hasta 7cm de diámetro (aprox. 3 pulgadas) y permite elevar la temperatura de las muestras hasta 950ºC. Colocación horizontal de los substratos y acceso lateral a través de una cámara de precarga. El sistema esta dedicado exclusivamente al depósito de nitruro de aluminio (AlN) lo que permite obtener un material de gran pureza y alta orientación en el eje C (necesario para aplicaciones piezoeléctricas).

 

 

 

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