Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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Sistema de MBE para crecimiento de Arseniuros (RIBER32)

Reactor de Epitaxia por haces moleculares (MBE) RIBER32 para el crecimiento de semiconductores basados en los Arseniuros del grupo III incluyendo compuestos basados en aleaciones de nitrógeno diluido
  • Cámara de crecimiento de ultra alto vacío con presión base de 5x10 -11 Torr. Sistema de bombeo: combinación bombas iónica + criogénica y criopaneles de nitrógeno lóquido
  • Cámara intermedia para metalizaciones por cañón de electrones en ultra alto vacío
  • 5 fuentes de efusión (células Knudssen): Ga, Al, In, Si, Be
  • 1 cólula cracker de Arsénico (RIBER)
  • Fuente de plasma RF de nitrógeno (CARS25 Oxford Applied Research)
  • Pirómetro óptico para medición temperatura de crecimiento (IRCON serie V)
  • Sistema de RHEED de 10 kV
  • Analizador de gases residuales (cuadrupolo, modelo Prisma de Balzers)

Sistema de MBE para crecimiento de Nitruros (MECA2000)

Reactor de Epitaxia por haces moleculares (MBE) MECA2000 para el crecimiento de semiconductores basados en los Nitruros del grupo III
  • Cámara de crecimiento de ultra alto vacío con presión base de 5x10-11 Torr. Sistema de bombeo: combinación bombas iónica + criogénica y criopaneles de nitrógeno líquido
  • 6 fuentes de efusión (células Knudssen): Ga (doble filamento), Al, In, Si, Be y Mg
  • Fuente de plasma RF de nitrógeno (Unibulb de la marca Applied Epi)
  • Pirómetro óptico para medición temperatura de crecimiento (IRCON serie V)
  • Sistema de RHEED de 15 kV
  • Analizador de gases residuales (cuadrupolo) modelo Prisma de Balzers

Sistema de MBE para crecimiento de Nitruros (RIBER COMPACT 21)

Reactor de Epitaxia por haces moleculares (MBE) RIBER modelo Compact 21S para el crecimiento de semiconductores basados en los Nitruros del grupo III
  • Cámara de crecimiento de ultra alto vacío con presión base de 3.5x10-11 Torr. Sistema de bombeo combinación bombas iónica + criogénica y criopanel de nitrógeno líquido
  • 6 fuentes de efusión (células Knudssen): Ga (doble filamento), Al, In (doble filamento), Si, Be y Mg
  • Fuente de plasma RF de nitrógeno de la marca Addon
  • Pirómetro óptico IRCON serie V para medición temperatura de crecimiento
  • Sistema de RHEED de 15 keV
  • Analizador de gases residuales (cuadrupolo)
 

 

 

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